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本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法，并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS／CMOS的闩锁效应维持电压，以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响。
PDSOINMOS／CMOS闩锁特性
【摘 要】
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本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法，并用此方法测试出了不同栅长、栅
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2009年5期
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