【摘 要】
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RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF393
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RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三
RF Micro Devices, Inc., announced that it has adopted and produced the RF3932. This unparalleled 75 watt high efficiency GaN power transistor (UPT) performs better than GaAs and silicon technology. The RF3932 is the continuation of the last 140-watt RF3934, the highest-output device in the RFMD’s UPT family. RFMD plans to launch third in the first quarter of 2011
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