【摘 要】
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研究了KOH水溶液中氧化剂甲醛在p-Si和n-Si(100)单晶半导体电极表面的电化学行为及其对硅化学刻蚀表面形貌的影响.实验结果表明,甲醛不仅影响p-和n-型半导体电极在碱性溶液中
【机 构】
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南京大学化学化工学院生命分析化学教育部重点实验室
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研究了KOH水溶液中氧化剂甲醛在p-Si和n-Si(100)单晶半导体电极表面的电化学行为及其对硅化学刻蚀表面形貌的影响.实验结果表明,甲醛不仅影响p-和n-型半导体电极在碱性溶液中的阳极氧化峰电流,而且在负电位区能在Si(100)电极上发生还原.在光照条件下,p-Si(100)电极上也观测到了HCHO的电化学还原及光电流倍增效应.甲醛在硅电极表面的电化学还原反应分两步进行,反应终产物为甲醇.此外,HCHO能有效抑制碱性溶液中Si表面'金字塔'型表面粗糙颗粒的形成.
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