氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征

来源 :武汉大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：unicom_1010

【摘要】

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用脉冲激光沉积方法在Al2O3（0001）衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO单晶材料进行比较,证实了ZnO薄膜的形成.采用

【作者】

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陈志权王栋张宏俊戴益群

【机构】

：

武汉大学物理科学与技术学院

【出处】

：

武汉大学学报(理学版)

【发表日期】

：

2007年5期

【关键词】

：

氧化锌氧化法缺陷慢正电子束 ZnO oxidation method defect slow positron beam

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用脉冲激光沉积方法在Al2O3（0001）衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO单晶材料进行比较,证实了ZnO薄膜的形成.采用慢正电子束技术对ZnO薄膜的微观结构进行了研究,发现在薄膜中存在大量的空位型缺陷.当氧化后的薄膜在高温下退火后,缺陷浓度逐渐降低,在达到900℃时,所制备的ZnO薄膜中缺陷基本得到消除.

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