退火温度对ZnO纳米棒紫外探测性能的影响

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aiyang1983
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通过水热法在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备出不同退火温度的ZnO纳米棒,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱响应曲线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线对不同退火温度的ZnO纳米棒的表面形貌、微观结构以及紫外探测性能进行深入研究.结果 表明,当退火温度从300℃逐渐升高至350℃时,ZnO纳米棒变得致密和均匀,表现为六方纤锌矿结构,同时纳米棒结晶性能优异且缺陷少;当退火温度高于350℃时,ZnO纳米棒变得稀疏、缺陷较多、结晶质量降低.通过光谱响应曲线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线得出当退火温度为350℃时,响应度具有最大值为4.651 A/W,光电流为1.508 μA.
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