【摘 要】
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书写器文档氟对MOS结构中辐射激发扩散/抗辐射加固特性/阈值电压的影响=刊.俄]/-1993.22(1).-27~29通常,在570~750K温度下研究辐射-激发扩散现象。在这种情况下,热扩散对全部过程的贡献很大。将样品温度降至室温,将增
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书写器文档氟对MOS结构中辐射激发扩散/抗辐射加固特性/阈值电压的影响=刊.俄]/-1993.22(1).-27~29通常,在570~750K温度下研究辐射-激发扩散现象。在这种情况下,热扩散对全部过程的贡献很大。将样品温度降至室温,将增大扩散系中的...
Effects of Fluorine on Radiation-Excited Diffusion / Radiation Hardening Characteristics / Threshold Voltage in MOS Structures. Russian] / - 1993.22 (1). -27 ~ 29 Radiation-induced diffusion is usually studied at 570-750K. In this case, thermal diffusion contributes greatly to the overall process. Decreasing the sample temperature to room temperature will increase the diffusion system ...
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