光吸收测定Hg_0.8Cd_0.2Te材料的空穴浓度

来源 :红外研究(A辑) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lblb0628wto
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采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2~6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由于Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中电子的迁移率比空穴的迁移率高得多,对空穴浓度低于4×10_(16)cm~(-3)的样品,温度接近77K时出现明显的混合导电,给空穴浓度的确定带来了困难。近年来对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Tb吸收边以下的 The ion implantation method is used to make photovoltaic devices, and the P type Hg_ (0.8) Cd_ (0.2) Te with hole concentration of 2 ~ 6 × 10 ~ (16) cm ~ (-3) or even lower is needed. P-type material hole concentration. Since the mobility of electrons in Hg_ (0.8) Cd_ (0.2) Te is much higher than that of holes, for the samples with hole concentration less than 4 × 10_ (16) cm ~ (-3) Obvious mixed conductivity appears, which makes it difficult to determine the hole concentration. In recent years, the absorbing edge of Hg_ (0.8) Cd_ (0.2) Tb is below
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