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探讨了用Mol粉,经过2次电子束熔炼后,再用最佳EBFZM工艺制取高纯钼的工艺和用Φ16mm×100mm高纯钼条重溶化大锭制取Φ90mm×3mmMBE用高纯钼底垫的可行性,从而成功地制取了大尺寸高纯钼部件。并成功地将纯度大于4N的高纯钼部件应用于MBE—Ⅲ、Ⅳ型设备上制作出了μ_(77K)=1.52×10~5cm~2/v·s的AlGaAs/GaAs材料。本工艺的探索成功为今后用小尺寸高纯原料制取常规尺寸高纯部件开辟了道路。