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提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H—SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源，并计人界面态电荷高斯分布模型及体内Poole—Frenkel效应。模拟结果表明，阈值电压是引起高温条件下输出电流变化的主要因素，同时随着温度的升高，由于体内缺陷的存在导致体漏电流所占比例不断增大，逐渐成为Ids如的重要组成部分。