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熔渗温度及退火温度对W-Cu电子封装材料导热性能的影响
熔渗温度及退火温度对W-Cu电子封装材料导热性能的影响
来源 :矿冶工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yanjiajian7758
【摘 要】
:
研究了不同熔渗温度及退火温度对W-15Cu电子封装材料热导率的影响,结果表明:对W-15Cu而言,使用无氧铜在1400℃熔渗,热导率最高,K值可达193.5 W/(m·K);而在800℃下经退火
【作 者】
:
何平
王志法
姜国圣
崔大田
【机 构】
:
中南大学
【出 处】
:
矿冶工程
【发表日期】
:
2004年3期
【关键词】
:
W-CU
熔渗温度
退火温度
热导率
W-Cuinfiltrating temperatureannealing temperaturethermal cond
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研究了不同熔渗温度及退火温度对W-15Cu电子封装材料热导率的影响,结果表明:对W-15Cu而言,使用无氧铜在1400℃熔渗,热导率最高,K值可达193.5 W/(m·K);而在800℃下经退火处理,热导率可得到明显改善.
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