【摘 要】
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Semi-insulating(SI)GaAs doped with indium has been grown and characterized.The relationship between the dislocationdensity and dopant concentration has been di
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Semi-insulating(SI)GaAs doped with indium has been grown and characterized.The relationship between the dislocationdensity and dopant concentration has been discussed.Study of the uniformity of electric properties of In-doped SI-GaAs,whichhas been annealed at 950℃ for 6h under arsenic pressure,associates with decreases of point defects and arsenic vacancies.
Semi-insulating (SI) GaAs doped with indium has been grown and characterized. The relationship between the dislocation intensity and dopant concentration has been discussed. Study of the uniformity of electric properties of In-doped SI-GaAs, which has been annealed at 950 ° C. for 6h under arsenic pressure, associates with decreases of point defects and arsenic vacancies.
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