【摘 要】
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为了提高a—Si:H,C1的光电性能,我们用激光对材料进行退火处理,然后研究了材料在退火后的吸收边、光学带隙和缺陷态密度等性能。 激光退火是用λ=5320的脉冲激光对材料进行
【机 构】
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中国科技大学物理系,中国科技大学物理系
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为了提高a—Si:H,C1的光电性能,我们用激光对材料进行退火处理,然后研究了材料在退火后的吸收边、光学带隙和缺陷态密度等性能。 激光退火是用λ=5320的脉冲激光对材料进行逐点扫描,当激光能量密度分别为0,6.4,7.8,
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