HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liuchy2008
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利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCI3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为10^9Ω·cm。计算接触电阻R。的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×10^8Ω和4.3×10^6Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触。分析认为AuCl3/HgI2接触中电
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