微氮硅单晶中新施主的形成特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:robert198121
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借助于电学测量和低温(8K)红外分析技术,研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在650℃长时间热处理后,微氮硅单晶不产生新施主,其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温450℃预退火能促进新施主生成,而高温1050℃预退火样品则同样没有新施主生成. The formation characteristics of new donors in micro-nitrogen-silicon single crystals were investigated by means of electrical measurement and low-temperature (8K) infrared analysis. After a long time heat treatment at 650 ℃, no new donors were formed in the micro-nitrogen silicon single crystals. Nitrogen destroyed the new donors Of the possible nucleation centers pre-annealed at 450 ℃ can promote the formation of new donors, while the pre-annealed samples at 1050 ℃ also have no new donor.
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