【摘 要】
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通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET 栅源电压工作在额定范围.设计了一
【机 构】
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河北新华北集成电路有限公司,石家庄 050200;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北省移动通信用射频集成电路重点实验室,石家庄 050200;河北新华北集成电路有限公司,石家
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通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET 栅源电压工作在额定范围.设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压.该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性.基于0.5 μm BCD 工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15～50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55～125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET 栅源电压的应用要求.
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