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针对目前通讯系统中数据高传输率和低误码率对于系统中各部分的较高要求，设计了一种采用谐波滤除电阻技术降低相位噪声和功耗的交叉耦合互补结构的VCO（压控振荡器）。采用Chartered 0．35μm CMOS工艺在Mentor Graphics Eldo—RF环境下对电路进行仿真设计，仿真结果表明此振荡器在1nA工作电流下，在4、0GHz处达到-118．4dBc／Hz@1 MHz的相位噪声，功耗仅为1.83mW，其性能满足当今射频通讯系统的基本要求。