【摘 要】
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近日,中科院微电子研究所四室InP HBT小组研制成功基于InP/InGaAsDHBT工艺的静态分频器,测试结果表明此分频器可在大于40GHz频率下正常工作,在电源供电为-5V的情况下,功耗为6
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近日,中科院微电子研究所四室InP HBT小组研制成功基于InP/InGaAsDHBT工艺的静态分频器,测试结果表明此分频器可在大于40GHz频率下正常工作,在电源供电为-5V的情况下,功耗为650mW,芯片尺寸为1.2mm×0.6mm。这是国内第一款基于InP/InGaAs DHBT工艺的可在毫米波段工作的超高速数
Recently, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Room IV InP HBT group successfully developed based on InP / InGaAsDHBT process static divider, the test results show that this divider can work at frequencies greater than 40GHz, the power supply is -5V , Power consumption is 650mW, the chip size is 1.2mm × 0.6mm. This is the first in the InP / InGaAs DHBT process can work in the millimeter-wave ultra-high speed number
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