【摘 要】
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据日本《O Plus E》杂志1991年第139期报道,日本东芝公司开发用电子束照射使多晶硅膜单晶化的技术,并已制作具有探测功能三维IC(单晶硅制成阶梯结构)。一次单晶化的面积为1cm
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据日本《O Plus E》杂志1991年第139期报道,日本东芝公司开发用电子束照射使多晶硅膜单晶化的技术,并已制作具有探测功能三维IC(单晶硅制成阶梯结构)。一次单晶化的面积为1cm见方,比激光法大得多,φ125mm片子上的薄膜约用20分钟能单晶化。三维IC具有
According to Japan’s “O Plus E” magazine 1991 No. 139 reported that Toshiba Japan to develop electron beam irradiation to polycrystalline silicon film technology, and has made a three-dimensional detection IC (IC made of single crystal ladder structure). A monocrystalline area of 1cm square, much larger than the laser method, φ125mm film on the film about 20 minutes to single-crystal. 3D IC has
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