【摘 要】
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据《电子材料》1995年第4期报道,目前,三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础,采用0.4PmCMOS工艺试制了1.2V工作的16MD
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据《电子材料》1995年第4期报道,目前,三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础,采用0.4PmCMOS工艺试制了1.2V工作的16MDRAM,在电源电压为1.2V的低电压下实现了存取时间(tRAC)为49ns的高速工作。本开发课题的
According to “Electronic Materials”, 1995, No. 4 reported that at present, Mitsubishi Electric Corporation has developed a low-voltage, high-speed DRAM circuit technology suitable for gigabit DRAMs. Based on this circuit technology, a 0.4M CMOS process was used to prototype a 16M DRAM operating at 1.2V, achieving high-speed operation with a tRAC of 49ns at a low supply voltage of 1.2V. This development project
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