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提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术．还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系，并作了理论上的阐述．采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽，并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正，制造了具有理想侧壁形状的深槽，利于介质的完全填充，避免产生空洞．电隔离槽宽5μm，深92μm，侧壁上有0．5μm厚的氧化层作为电隔离材料．I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性；0～100V偏压范围内，电阻大于10^11Ω，击穿电压大于1