【摘 要】
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由于MOS管具有极高的输入阻抗(10~9～10~(12)),现已越来越广泛地用于各种运算放大器中。但是,由MOS FET代替双极型管作输入级时运放的失调电压及其温漂比较大。 本文分析MOS FE
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由于MOS管具有极高的输入阻抗(10~9～10~(12)),现已越来越广泛地用于各种运算放大器中。但是,由MOS FET代替双极型管作输入级时运放的失调电压及其温漂比较大。 本文分析MOS FET作差分输入级运放X56失调电压及其温漂产生的原因,同工艺的关系以及改进措施。
As MOS tubes have very high input impedance (10 ~ 9 ~ 10 ~ (12)), it has been more and more widely used in various operational amplifiers. However, the MOS FET instead of bipolar transistor input stage op amp offset voltage and its relatively large temperature drift. This article analyzes the MOS FET for differential input stage op amp X56 offset voltage and its causes of drift, the relationship with the process and improvement measures.
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