【摘 要】
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用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。
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用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。
The ionization rate of impurities in 77K silicon was calculated by using pure numerical technique. The Fermi-Dirac statistics, the forbidden band narrowing effect, the freeze-thaw effect and the influence of temperature on various physical parameters were considered. The calculated results were more accurate than the simplified model and could be inserted To the semiconductor device simulation software.
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