【摘 要】
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在室温下测量了ＧｄｏＢｒ：Ｅｕ的常压和高压荧光谱，光谱范围在１３０００～２１５００ｃｍ－１之间，压力至１２ＧＰａ。由光谱数据得到了Ｅｕ３＋晶场能级随压力的变化曲线。７Ｆｏ～５能级随压力的变化规律比较复杂，而５Ｄｏ～２各能均随压力的升高几乎线性地降低。
【机 构】
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浙江大学物理系,吉林大学超材料国家重点实验室,中国科学院长春物理研究所
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在室温下测量了ＧｄｏＢｒ：Ｅｕ的常压和高压荧光谱，光谱范围在１３０００～２１５００ｃｍ－１之间，压力至１２ＧＰａ。由光谱数据得到了Ｅｕ３＋晶场能级随压力的变化曲线。７Ｆｏ～５能级随压力的变化规律比较复杂，而５Ｄｏ～２各能均随压力的升高几乎线性地降低。在基态谱项７Ｆ的４９个状态上进行了晶场拟合计算，所得常压下的五个非零晶场参数分别为：Ｂ２０＝－１１２４．０ｃｍ－１，Ｂ４０＝－９６９．６ｃｍ－１，Ｂ４４＝８２７．９ｃｍ－１，Ｂ６０＝８８９．６ｃｍ－１，Ｂ６４＝３７７．０ｃｍ－１。高压下的计算结果表明，Ｂ４０、Ｂ６０这两个晶场参数随压力的增加而增大，Ｂ６４随压力的增加而减小，而Ｂ２０、Ｂ４４随压力的变化有些起伏。晶场强度在８ＧＰａ以下随压力增加而减小，其后开始变强。
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