【摘 要】
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为研制具有高温稳定性的SiC CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）OPAMP（operationalamplifier）,对PMOST（P-type metal-oxide-semiconductor transistor）输入标准6H-SiC
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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为研制具有高温稳定性的SiC CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）OPAMP（operationalamplifier）,对PMOST（P-type metal-oxide-semiconductor transistor）输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MO
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