【摘 要】
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采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试。通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te。在整个测试温度(319～549K)范
【机 构】
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江苏建筑职业技术学院,中国矿业大学,宁波工程学院,
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采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试。通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te。在整个测试温度(319～549K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低。由于具有相对较低的热导率和较高的电导率,Ga2SnTe5在549K时取得了最高ZT值0.16。
P-type complex phase Ga2Te5-based compound was prepared by spark plasma sintering (SPS), and its microstructure and thermoelectric properties were tested. The main phase Ga2Te5 and a small amount of SnTe and elemental Te were observed by XRD analysis. The Seebeck coefficient, electrical conductivity and thermal conductivity of Ga2Te5-based compounds decrease with increasing temperature over the entire test temperature range (319-549K). Due to its relatively low thermal conductivity and high conductivity, Ga2SnTe5 achieved the highest ZT value of 0.16 at 549K.
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