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用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子束外延生长的InAs/GaAs自 组织量子点发光特性的影响.用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点, 比用GaAs做覆盖层其发光峰能量向低能端移动,发光峰半高宽变窄,量子点发光峰能量随温度 的红移幅度变小.理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表 面应力导致发光峰红移,而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂,量子点的均匀性得 到改善,PL谱半高宽变窄.