【摘 要】
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设计了一种基于SOI材料制作的兼顾响应度和带宽的光电探测器,该光电探测器采用标准0.18μm CMOS工艺,与现有工艺完全兼容,同时易于单片集成。利用Silvaco对该光电探测器进行了仿真,并对仿真结果进行分析。分析了光电探测器响应度和带宽的影响因素,通过控制吸收层厚度、离子注入深度等工艺步骤,结合器件特性设计优化深N阱结构,实现了高响应度高带宽的光电探测器。在5 V反向偏置的条件下,基于SOI的光电探测器在850 nm波长下实现了0.33 A/W的响应度,-3 dB带宽为120 MHz。研究结果对高速应
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,中科芯集成电路有限公司
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设计了一种基于SOI材料制作的兼顾响应度和带宽的光电探测器,该光电探测器采用标准0.18μm CMOS工艺,与现有工艺完全兼容,同时易于单片集成。利用Silvaco对该光电探测器进行了仿真,并对仿真结果进行分析。分析了光电探测器响应度和带宽的影响因素,通过控制吸收层厚度、离子注入深度等工艺步骤,结合器件特性设计优化深N阱结构,实现了高响应度高带宽的光电探测器。在5 V反向偏置的条件下,基于SOI的光电探测器在850 nm波长下实现了0.33 A/W的响应度,-3 dB带宽为120 MHz。研究结果对高速应
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