在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜

来源 :第八届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：littlev19

【摘要】

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本文研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁

【作者】

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季鲁阎少林赵新杰方兰李永刚何明

【机构】

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南开大学,电子科学系,天津,300071

【出处】

：

第八届全国超导学术研讨会

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

超导材料超导薄膜薄膜生长金属基带

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本文研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8K,Jc(77K,0T)达到2.6MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2.

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