各向异性6H—Si CMOSFET击穿的温度特性

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Affiant_Donkey

【摘要】

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分析了不同晶面上温度对6H-SiC MOSFET击穿特性的影响.以Si面为例,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响.根据6H-SiC各向异性的特性,采用张量扩

【作者】

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【机构】

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西安电子科技大学微电子所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

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分析了不同晶面上温度对6H-SiC MOSFET击穿特性的影响.以Si面为例,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响.根据6H-SiC各向异性的特性,采用张量扩展将其扩展到C面,研究表明虽然在不同的晶面上器件的击穿电压不同,但其随温度的变化趋势是相同的,都具有正温度系数.

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