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电源电压、工艺偏差和温度变化（PVT）对电阻、电容、晶体管、MOS管等的参数和特性都会产生一定的影响，从而影响电路的性能。从满足工艺角覆盖率的角度出发，进行模拟运算放大器的设计，首先采用对称型运算跨导放大器的形式，提高了匹配，提供了更好的失调和CMRR特性；同时采用共集共射输入，提高了输入电阻。其中共射管采用射极负反馈结构增大了线性输人范围，提高转换速率。仿真结果表明，所设计的运算放大器可满足工艺角覆盖率的要求。