LSI的工艺发展介绍

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:superlhl2010
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集成电路的制造工序可以分成四大部分:1.设计与制版,2.硅材料加工和硅片准备,3.芯片制作,4.后工序(由掰片以后开始直至封装、成测)。 下面分几个部分概述介绍国外工艺方面的发展动向。 一、半导体材料 LSI(大规模集成电路)要求大尺寸、高完整性和高纯单晶。 IC manufacturing process can be divided into four major parts: 1. Design and plate making, 2. Silicon material processing and preparation of silicon, 3. Chip making, 4. After the process (from breaking the film until the package, the measured). The following sections provide an overview of the development of foreign technology trends. First, the semiconductor material LSI (large scale integrated circuits) requires large size, high integrity and high purity single crystal.
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