晶粒取向3%Si-Fe中MnS质点分布的电子显微镜研究

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对晶粒取向3%Si-Fe在二次再结晶早期阶段中MnS质点的形态和分布作了电子显微镜研究。确定了一般晶粒取向3%Si-Fe中MnS质点对初次晶界的抑制失效的最低温度约为1000℃。得到稳定的初次晶粒基体的一个必要条件是脱碳退火状态下MnS质点原始分布场的平均尺寸接近于质点产生有效抑制作用的Zener临界尺寸。MnS质点的抑制失效看来与质点粗化场分布特性没有明显的联系。在1000℃以上的温度,质点对初次晶界的抑制作用的丧失可归结为该温度下小于Zener临界尺寸的质点的全部溶解。 The morphology and distribution of MnS particles in the grain orientation 3% Si-Fe in the early stage of secondary recrystallization were investigated by electron microscopy. The minimum temperature at which MnS particles in the 3% Si-Fe grains inhibit the primary grain boundary failure is determined to be about 1000 ° C. A necessary condition for obtaining a stable primary grain matrix is ​​that the average size of the original distribution field of MnS particles near the decarburization annealing state is close to the Zener critical size at which particles effectively produce an inhibitory effect. Inhibition of MnS particle failure appears to be of no apparent relevance to the distribution of particle coarsening fields. At temperatures above 1000 ° C, the loss of the suppressive effect of the particles on the primary grain boundaries can be attributed to the complete dissolution of particles less than the critical dimension of Zener at this temperature.
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