【摘 要】
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2015年6月16日,在VLSI研讨会上,纳米电子研究中心IMEC,展示了环绕式极匣的n与pMOSFET,这些MOSFET皆由垂直堆叠、直径仅8纳米的水平硅质纳米线制成。这些以硅质块材基板制成、
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2015年6月16日,在VLSI研讨会上,纳米电子研究中心IMEC,展示了环绕式极匣的n与pMOSFET,这些MOSFET皆由垂直堆叠、直径仅8纳米的水平硅质纳米线制成。这些以硅质块材基板制成、运用业界RMG制程的装置,相较
On June 16, 2015, at the VLSI Symposium, IMEC, a nanoelectronics research center, demonstrated the wraparound p-type n and pMOSFETs fabricated from vertically stacked, horizontal silicon nanowires of only 8 nm in diameter. These are made of silicon bulk substrate, using the industry’s RMG process device, compared
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