【摘 要】
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采用湿化学法制备了锑掺杂氧化锡Sn1-xSbxO2-δ（ATO,x=0.003、0.005、0.007和0.01）粉体材料,并以Li2O-TiO2为助烧剂,用传统烧结工艺制得ATO陶瓷。利用X射线衍射分析了材料的相
【机 构】
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中南大学材料科学与工程学院,有色金属材料科学与工程教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(面上)资助项目(50872155)
论文部分内容阅读
采用湿化学法制备了锑掺杂氧化锡Sn1-xSbxO2-δ（ATO,x=0.003、0.005、0.007和0.01）粉体材料,并以Li2O-TiO2为助烧剂,用传统烧结工艺制得ATO陶瓷。利用X射线衍射分析了材料的相组成,扫描电子显微镜观察陶瓷的微观结构,通过电阻-温度特性测试仪和交流阻抗谱研究了ATO陶瓷导电性随温度的变化。结果表明,ATO材料具有四方晶体结构;1200℃烧结获得致密度为95%以上的陶瓷试样。该陶瓷材料呈现典型的电阻负温度系数效应。利用能带理论和电子跃迁模型讨论了ATO陶瓷的导电机理。
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