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《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3．D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3．D三栅极晶体管结构代表着从2．D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3．D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又—个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。