【摘 要】
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据《科技日报》2006年12月12日报道,在12月11日至13日举行的电气和电子工程师协会(IEEE)国际电子设备会议上,美国麻省理工学院德尔·阿拉莫实验室的研究人员向与会者介绍了砷
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据《科技日报》2006年12月12日报道,在12月11日至13日举行的电气和电子工程师协会(IEEE)国际电子设备会议上,美国麻省理工学院德尔·阿拉莫实验室的研究人员向与会者介绍了砷化铟镓晶体管技术。专家认为,该成果有望将微电子革命带入新的重要阶段。砷化铟镓(InGaAs)晶体是德尔·
According to “Science and Technology Daily” reported on December 12, 2006, at the IEEE International Electronic Equipment Conference held from December 11 to December 13, a study by the Massachusetts Institute of Technology’s Del Alamo Laboratory Staff introduced attendees to the InGaAs transistor technology. Experts believe that the results are expected to bring the microelectronics revolution to a new important stage. Indium gallium arsenide (InGaAs) crystal is Del
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