【摘 要】
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本文介绍了采用感应加热顶部籽晶法生长BaTiO_3晶体的工艺技术。根据稳态引上法生长晶体的热平衡原理,设计了合理的生长装置,使得晶体能够在保持加热功率不变的情况下稳定生长,获得了大
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本文介绍了采用感应加热顶部籽晶法生长BaTiO_3晶体的工艺技术。根据稳态引上法生长晶体的热平衡原理,设计了合理的生长装置,使得晶体能够在保持加热功率不变的情况下稳定生长,获得了大尺寸(Φ20~25mm×15mm)的BaTiO_3晶体。阐述了感应加热和通常使用的电阻加热法的区别,指出了本方法的优点。对生长出的晶体进行结构测试,居里温度测定和偏振拉曼谱的测量。
In this paper, the technology of growing BaTiO_3 crystal by inductively heated top seed method is introduced. According to the principle of thermal equilibrium of steady-state induced growth crystal, a reasonable growth device was designed to make the crystal grow steadily while maintaining the same heating power, and the large-sized BaTiO_3 crystal (Φ20 ~ 25mm × 15mm) was obtained. The difference between induction heating and the commonly used resistance heating method is described, and the advantages of the method are pointed out. The grown crystals were tested for structure, Curie temperature and polarization Raman spectra.
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