【摘 要】
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据日本《Semiconductor World》1992年4月号报导,在美国威斯康星州立大学玛基逊学院X线光刻中心(CXrL)弗朗克教授的指导下,移相掩模技术已成功地应用于x线光刻。该工艺不使用
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据日本《Semiconductor World》1992年4月号报导,在美国威斯康星州立大学玛基逊学院X线光刻中心(CXrL)弗朗克教授的指导下,移相掩模技术已成功地应用于x线光刻。该工艺不使用金属,以硅碳化钙(SiCaC)膜作为吸收X线的掩模层。该掩模通过X线的两个相位,在曝光衬底上产生干涉,结果得到80nm的抗蚀图形。这一毫微米图形使该图像与原连接式曝光的图像速度相似,且不因间隙而带来不良影响。
According to Japan’s “Semiconductor World” report in April 1992, under the guidance of Professor Franck, X-ray Lithography Center (CXrL) at the University of Wisconsin-Madison, the phase-shifting mask technique has been successfully applied to x- Lithography. The process does not use a metal silicon carbide (SiCaC) film as a mask to absorb X-ray. The mask caused interference on the exposed substrate by two phases of the X-ray, resulting in a resist pattern of 80 nm. This nano-scale pattern makes the image similar in speed to the original connected image without adversely affecting the gap.
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