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采用光电化学响应法研究了316LSS在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质,获得3个主要响应:带隙宽度2.3 eV认为是Fe氧化物Fe2O3和/或Ni的氢氧化物Ni(OH)2的特征带隙宽度;2.9和3.5 eV认为是Cr氧化物Cr2O3的特征带隙宽度;4.1~4.4 eV认为是FexNi1-Cr2O4的特征带隙宽度.通过光电流响应与施加偏压的实验可知,316LSS在此高温水中生成的氧化膜表现为n型半导体性质.