【摘 要】
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我们计算了金属——半导体——金属(MSM)微波二极管的阻抗和噪声量度。若噪声是起因于伴随着直流偏置电流的空间电荷镇静的散弹噪声,则我们得到结论:噪声量度小于1是可能的。
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我们计算了金属——半导体——金属(MSM)微波二极管的阻抗和噪声量度。若噪声是起因于伴随着直流偏置电流的空间电荷镇静的散弹噪声,则我们得到结论:噪声量度小于1是可能的。假若散弹噪声是作出主要贡献的噪声源,那末,MSM二极管将成为极低噪声的微波振荡器和放大器。
We calculated the impedance and noise measurements of metal-semiconductor-metal (MSM) microwave diodes. If the noise is shot noise that results from the space charge calm with the dc bias current, then we conclude that a noise measure less than one is possible. If shot noise is a major source of noise, the MSM diode will become a very low noise microwave oscillator and amplifier.
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