无掩模离子注入技术——向GaAs中注入Be和Si

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本文主要介绍用于制作新的半导体器件的无掩模离子注入工艺,重点谈谈向GaAs中注入Be和Si的工艺以及将来的展望和实用化方面的研究课题。 This article describes the maskless ion implantation process used to fabricate new semiconductor devices, focusing on the process of implanting Be and Si into GaAs and its future research and practical applications.
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