S钝化GaAs(100)表面的电子特性

来源 :原子核物理评论 | 被引量 : 0次 | 上传用户：taotao_xr

【摘要】

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用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁

【作者】

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马丽危书义汪建广

【出处】

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原子核物理评论

【发表日期】

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2002年z1期

【关键词】

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化学吸附钝化超级原胞相互作用 chemisorption passivation supercell interaction

【基金项目】

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河南省自然科学基金资助项目(0111051000)

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用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(100)表面的层投影态密度, 以及电子转移情况. 结果表明, 两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定, S-Ga相互作用比S-As稍强, S钝化GaAs(100)表面可以取得明显的钝化效果.

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