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从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
InPInGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
【摘 要】
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从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台
【机 构】
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中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2004年8期
其他文献
将基质玻璃片浸渍在含配合物TiF^2-5，F^-离子捕获剂H3BO3，及加有结晶诱导剂TiO2纳米晶的过饱和水溶液中，在基质上沉积TiO2薄膜，在沉积温度35℃和TiF^2-5水溶液的浓度为0．1mol·