【摘 要】
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本文介绍2～1(?)GHZ 的单片分布放大器,它有大于6dB 增益,±0.5dB 的增益平坦度,低于2.0:1的电压驻波比。测得的噪声系数低于7.5dB,输出功率大于17dBm。这种放大器的设计是用
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本文介绍2～1(?)GHZ 的单片分布放大器,它有大于6dB 增益,±0.5dB 的增益平坦度,低于2.0:1的电压驻波比。测得的噪声系数低于7.5dB,输出功率大于17dBm。这种放大器的设计是用双栅GaAs FET 代替单栅 FET,使在整个设计频带内的增益达到最大值。本文还给出了栅——阴级联放大器的性能。
This article describes a 2 ~ 1 (?) GHZ monolithic distributed amplifier with gain gain of more than 6dB, gain flatness of ± 0.5dB and voltage standing wave ratio below 2.0: 1. Measured noise figure less than 7.5dB, the output power is greater than 17dBm. This amplifier was designed to replace a single gate FET with a dual-gate GaAs FET, maximizing the gain across the design band. This article also gives the performance of the gate-cascode amplifier.
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