【摘 要】
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松下电工与东京农工大学研究生院工学院使用5nm以下的硅元件,试制出向氙气中放射电子从而得到可视光的发光元件。由于无需放电,可轻松提高发光效率。理论上能够实现150lm/W以
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松下电工与东京农工大学研究生院工学院使用5nm以下的硅元件,试制出向氙气中放射电子从而得到可视光的发光元件。由于无需放电,可轻松提高发光效率。理论上能够实现150lm/W以上的发光效率。另一特点是:与荧光灯不同,不需要使用水银。该试制品向“纳米硅电子源”施加电压、产生
Matsushita Electric Works and Tokyo Institute of Technology Graduate School of Engineering, the use of silicon devices below 5nm, trial production of xenon emit electrons to obtain visible light light-emitting devices. Because no discharge, can easily improve the luminous efficiency. Theoretically able to achieve more than 150lm / W luminous efficiency. Another feature is: Unlike fluorescent lamps, mercury is not required. The prototype to “nano-silicon electron source,” the application of voltage generated
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