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采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜，经硒化退火生成CulnSe2薄膜。采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性，确定其最佳沉积电位在-0．75V左右，Cu与In的化学计量比为1．1，达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比。研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响。硒化后，Cu与In的化学计量比为1．1时形成了比较单一的CulnSe2黄铜矿相结构。