【摘 要】
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本文叙述了在n型InP和InGaAsP进行低温平面扩散的实验方法,对低温下Zn在InP和InGaAsP中的扩散机理及其扩散分布图进行了讨论。实验结果表明,Zn在InGaAsP中的扩散速率比Zn在In
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本文叙述了在n型InP和InGaAsP进行低温平面扩散的实验方法,对低温下Zn在InP和InGaAsP中的扩散机理及其扩散分布图进行了讨论。实验结果表明,Zn在InGaAsP中的扩散速率比Zn在InP中的扩散速率要慢,而载流子浓度却要此InP高。其载流子浓度分布极好地服从余误差函数分布,应用于器件的研制产生了很好的效果。
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