【摘 要】
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东芝开发出了用于EUV(Extreme Ultraviolet)曝光的负型低分子光刻胶(Resist),并公布了对线宽/线间隔(L/S)为22 nm的图案进行解像的成果。在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙
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东芝开发出了用于EUV(Extreme Ultraviolet)曝光的负型低分子光刻胶(Resist),并公布了对线宽/线间隔(L/S)为22 nm的图案进行解像的成果。在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙度(Line Edge Roughness,LER)和耐蚀刻性
Toshiba has developed a negative-type low-molecular resist for Extreme Ultraviolet (EUV) exposure and has published results on the resolution of a pattern with line width / line spacing (L / S) of 22 nm. In the low-molecular type photoresist weakness of the edge of the line edge roughness (Line Edge Roughness, LER) and etching resistance
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