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本文简要介绍了NTD硅单晶的退火工艺,通过在一次退火工艺和二次退火升τ工艺中,引入P2O5,结果表明:晶体表面的P2O5保护层在晶体表面的吸除作用能引起晶体内缺陷和杂质的消失,使晶体的少子寿命τ及τ的合格率大幅度升高.
如何提高NTD硅单晶少子寿命
【摘 要】
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本文简要介绍了NTD硅单晶的退火工艺,通过在一次退火工艺和二次退火升τ工艺中,引入P2O5,结果表明:晶体表面的P2O5保护层在晶体表面的吸除作用能引起晶体内缺陷和杂质的消失,
【机 构】
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峨眉半导体材料研究所
【出 处】
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四川有色金属
【发表日期】
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2001年3期
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