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P+-Si /N+ 多晶的太阳能电池用 AMPS-1D 设备模拟器被塑造探索新高效率薄电影多晶硅太阳能电池。以便分析这台设备的特征和 N+ 多晶硅的厚度，我们在前面在 N+ 多晶硅层和透明传导性的氧化物(TCO ) 的工作函数认为杂质是集中在计算的接触。当厚度从 20 m 变化到 300 m 时， N+ 多晶硅的厚度几乎没在设备上有很少影响。杂质集中在的效果多晶被分析。结论被得出，到达 752 多晶的太阳能电池是的 P+-Si /N+ 的开电路的电压(V oc ) 很高的 mV，和变换效率到达 9.44%